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Direktmetallisierungsprozess
BECE CIRCuMET-DM2 – Direktmetallisierungsprozess auf Palladiumbasis
Die Durchkontaktierung ist einer der kritischen Prozessschritte in der Leiterplattenfertigung. Nichtleitende Bohrlochwandungen müssen so vorbereitet werden, dass anschließend eine gleichmäßige, haftfeste und prozesssichere Kupferabscheidung möglich ist.
Das BECE CIRCuMET-DM2 Verfahren stellt einen wirtschaftlichen Direktmetallisierungsprozess für nichtleitende Substrate dar und ermöglicht die direkte galvanische Abscheidung von Kupfer auf Palladium. Es bietet damit eine innovative und zukunftsweisende Alternative zu herkömmlichen chemischen Kupferverfahren als auch zu Direktmetallisierungsverfahren auf Carbon-/Graphitbasis.
Palladiumbasierte Direktmetallisierungsverfahren bieten gegenüber carbon-/graphitbasierten Verfahren vor allem Vorteile bei der gezielten Aktivierung der Bohrlochoberfläche und der kontrollierten Vorbereitung für die nachfolgende galvanische Kupferabscheidung. Während graphitbasierte Systeme auf einer leitfähigen Partikelschicht basieren, ermöglicht Palladium eine sehr feine und gleichmäßige katalytische Aktivierung auch anspruchsvoller Oberflächenstrukturen. Dadurch kann eine hohe Prozesssicherheit, gute Kupferanbindung und zuverlässige Durchkontaktierung erreicht werden – insbesondere bei modernen Leiterplattenaufbauten, feinen Bohrungen, HDI-Strukturen und anspruchsvollen Basismaterialien.
Durch den Einsatz innovativer, REACH- und RoHS-konformer Additive in den Prozessbädern erreicht das
BECE CIRCuMET-DM2-Verfahren eine Leitfähigkeit, die mit derjenigen chemischer Kupferprozesse vergleichbar ist.
Das Verfahren kann im Horizontal– als auch im Vertikalprozess angewendet werden.
Prozessfolge BECE CIRCuMET-DM2
Konditionierung
Gezielte Oberflächenmodifikation zur Vorbereitung der nichtleitenden Bereiche.
Palladium-Aktivierung
Aktivierung der Bohrlochwandung als Grundlage für die Direktmetallisierung.
Beschleuniger
Generiert durch Modifikation des adsorbierten Palladium-Kolloids ein noch aktiveres Metall.
Galvanische Verkupferung
Direkte Kupferabscheidung auf der aktivierten Oberfläche.
ENTSCHEIDENDE PRODUKT-VORTEILE
- Kontinuierliche Aktivierung statt partikulärer Beschichtung; gleichmäßige Kupferkeimbildung ohne lokale Schwächen.
- Hohe Prozesssicherheit bei kleinen Bohrungen; zuverlässig auch < 250µm und bei Microvias.
- Breites Prozessfenster; weniger Abhängigkeit von Bohrqualität, Benetzung und Badzustand.
- HDI-fähig und skalierbar; geeignet für aktuelle und zukünftige Designgenerationen.
- Höhere Langzeitzuverlässigkeit; reduziertes Void-Risiko sowie von Fehlstellen in der galvanischen Kupferabscheidung.
- Hervorragende Leitfähigkeit der Durchkontaktierungen.
- Einwandfreie galvanische Verkupferung von Nichtleitern und allen gängigen Substraten in der Leiterplattenindustrie.
- Einfache Prozessführung und breitem Arbeitsfenster.
- Für horizontal- und vertikal-Anwendungen.
Veranschaulichung Vorher-Nachher