Fine-Line Anwendungen - Leiterbahnabstände 50µm

Der von uns entwickelte chemisch Zinn Prozess, bietet die Möglichkeit selbst auf kleinsten Kupferoberflächen, wie sie bei den heutigen Leiterplattengeneration vorliegen (z. B. Fine–Pitch–Technik), gut lötbare, dichte und ebene (überall gleichdicke) Zinnschichten außenstromlos abzuscheiden.

Durch die niedrige Prozesstemperatur von 70°C, entsteht für die Leiterplatte kein thermischer Stress und die im Austauschverfahren abgeschiedene Zinnschichtdicke von 0,8-1,2µm verhindert die Bildung von Zinnbrücken und Kurzschlüssen.

Eigenschaften des Beschichtungsverfahrens:

• einfache Prozessführung
• für Tauchverfahren (vertikal) und Durchlaufverfahren (horizontal) geeigent
• Kupferaufnahme bis zu 7 g/l ohne Qualitätsverlust möglich
• Verlängerung der Badstandzeiten durch Kupferabreicherung möglich

Eigenschaften der Zinnschicht:

• ebene, gleichmäßig dicke und feinkristalline Schicht
• Schichtdicke je nach Kontaktzeit 0,3 - 1,2 µm
• ideal für die Fine-Pitch-SMD-Technik einsetzbar
• keine Zinnbrücken, d.h. keine Kurzschlüsse
• lötbar auch nach "Alterung" 4 Std. / 155 °C
• geeignet für Einpresstechnik